特許
J-GLOBAL ID:202103015634699919

積層水平アクティブストリップに配置され、垂直制御ゲートを有するマルチゲートNORフラッシュ薄膜トランジスタストリング

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人 大島特許事務所
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2018-517296
特許番号:特許第6800964号
出願日: 2016年07月27日
請求項(抜粋):
【請求項1】実質的に平坦な表面を有する半導体基板と、 前記半導体基板の前記表面上に形成され、所定の距離によって分離されているアクティブストリップの第1のスタック及び第2のスタックであって、当該アクティブストリップの各スタックは2以上のアクティブストリップを含み、その1つは他の平面のトップに分離形成され、前記実質的に平坦な表面に対して実質的に平行な第1の方向に沿って互いに縦方向に実質的に整列している、該アクティブストリップの第1のスタック及びアクティブストリップの第2のスタックと、 電荷トラップ材料と、 前記実質的に平坦な表面に実質的に垂直な方向である第2の方向に沿って縦方向に延在し、前記アクティブストリップの第1のスタックと前記アクティブストリップの第2のスタックとの間に設けられた複数の導体であって、前記第1のスタック及び前記第2のスタックにおいて、各アクティブストリップは第1の導電型である第1の半導体レイヤーが、それぞれが第2の導電型である第2の半導体レイヤーと第3の半導体レイヤーとの間に設けられており、かつ前記導体は前記アクティブストリップの第1のスタック及び前記アクティブストリップの第2のスタックで形成される前記導体のグループ内にあり、前記グループ内にある各導体は前記電荷トラップ材料によって分離されてそれによって各アクティブストリップでNORストリングを形成し、各NORストリングは前記アクティブストリップの前記第1、第2及び第3の半導体レイヤーとこれらに隣接する電荷トラップ材料と前記グループ内にある前記導体とから作成される複数のメモリトランジスタを含む、該複数の導体と、 前記半導体基板の前記平坦な表面内及び上に形成された回路と、 それぞれ平坦な表面に平行な方向に沿って張られた第1及び第2のグローバル導電性配線のセットであって、前記第1のグローバル導線のセットは、アクティブストリップの前記第1及び第2のスタック上方に張られ、前記第2のグローバル導線のセットは、アクティブストリップの前記第1及び第2のスタック下方に張られ、前記第1又は第2のグローバル導線のセットは前記回路を前記導体へ接続する働きをする、該第1及び第2のグローバル導電性配線のセットとを備え、 アクティブストリップの各NORストリングは、それぞれ、第2及び第3半導体レイヤーから形成されたソース及びドレイン領域を有する1又は複数のプリチャージトランジスタを含み、かつ各NORストリングに対応する別々の導体を有し、ここで第2の半導体レイヤーは、回路から絶縁され、かつ容量的に前記アクティブストリップに隣接する複数の導体に結合され、さらに、前記回路は、電圧の構成のうちの1つを印加して、選択された1つ又は複数のメモリトランジスタ又は1又は複数のプリチャージトランジスタを通電状態にさせ、回路から第3の半導体レイヤーを介して第2の半導体レイヤーに所定の時間にわたって電流経路を提供でき、それによって、第1及び第2の半導体レイヤーの寄生容量を選択された所定の電圧のうちの選択された1つにプリチャージし、前記選択された所定の電圧は、メモリトランジスタのプログラム、プログラム禁止、データの読み出し及び消去のうちの1つのために選択され、 1つ又は複数の平面内の各アクティブストリップの前記第2又は第3の半導体レイヤーが、1つ又は複数の平面内のアドレス指定されたメモリトランジスタの1つ又は複数の読み出し動作を実行する前に、読み出し動作に対応する所定の電圧に適切に同時にプリチャージされる一方で、第2又は第3の半導体レイヤーは、対応するアクティブストリップに沿った静電容量によって前記所定の電圧を一時的に保持し、 1つ又は複数の平面上のアクティブストリップのそれぞれのプリチャージされる前記所定の電圧が、それぞれの仮想的なソース電圧をもたらす、互いに電気的に絶縁された仮想接地電圧として働き、前記NORストリングの各々のソース電圧が前記半導体基板の接地電圧に接続されなくなり、それにより、前記アドレス指定された多数のメモリトランジスタが同時に読み取られるときの接地電圧バウンスを回避することを特徴とするメモリ構造。
IPC (6件):
H01L 27/1158 ( 201 7.01) ,  H01L 27/1157 ( 201 7.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/788 ( 200 6.01) ,  H01L 29/792 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01)
FI (4件):
H01L 27/115 2 ,  H01L 27/115 3 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 29/78 613 B
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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