特許
J-GLOBAL ID:202103015811982430

オプシンの活性を調節する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人三枝国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2019-155659
公開番号(公開出願番号):特開2021-031467
出願日: 2019年08月28日
公開日(公表日): 2021年03月01日
要約:
【課題】シンチレータを利用した、X線照射によりオプシンの活性を調節する技術を提供すること。【解決手段】本発明のシンチレータにX線を照射することを含む、オプシンの活性を調節する方法。【選択図】なし
請求項(抜粋):
Ce又はEuドープ型シンチレータ及びAg,Cl:ZnSからなる群より選択される少なくとも1種のシンチレータにX線を照射することを含む、オプシンの活性を調節する方法。
IPC (3件):
C07K 14/47 ,  A01K 67/027 ,  C12N 5/10
FI (3件):
C07K14/47 ,  A01K67/027 ,  C12N5/10
Fターム (32件):
4B063QA01 ,  4B063QA18 ,  4B063QQ02 ,  4B063QQ08 ,  4B063QQ13 ,  4B063QR48 ,  4B063QR58 ,  4B063QS05 ,  4B063QS36 ,  4B063QS38 ,  4B063QS39 ,  4B063QX01 ,  4B063QX07 ,  4B065AA90Y ,  4B065AA91X ,  4B065AA93X ,  4B065AB01 ,  4B065AC14 ,  4B065BA02 ,  4B065BA05 ,  4B065BC05 ,  4B065BC07 ,  4B065BC48 ,  4B065BC50 ,  4B065CA24 ,  4B065CA46 ,  4H045AA10 ,  4H045AA30 ,  4H045BA70 ,  4H045CA40 ,  4H045EA50 ,  4H045FA74
引用特許:
審査官引用 (5件)
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引用文献:
審査官引用 (7件)
  • GAGGシンチレータの発光特性
  • GAGGシンチレータの発光特性
  • Cell Rep.,2019 Jan 22, vol. 26, no. 4, pp. 1033-1043
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