特許
J-GLOBAL ID：202103016933580045
表面修飾ナノダイヤモンド
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
特許業務法人後藤特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2021-014847
公開番号（公開出願番号）：特開2021-075457
出願日： 2021年02月02日
公開日（公表日）： 2021年05月20日
要約：
【課題】本発明は、塩素導入(塩素化)を必要とせず、工程が少なく簡便な方法で目的とする表面修飾基(末端ビニル基、末端エポキシ基)を導入することができる表面修飾ナノダイヤモンドの製造方法を提供する。【解決手段】本発明の表面修飾ナノダイヤモンドの製造方法は、表面に水酸基を有するナノダイヤモンドと両末端にビニル基を有する化合物を反応させて、末端がビニル基である表面修飾基を有するナノダイヤモンドを得る工程を含む。また、本発明の表面修飾ナノダイヤモンドの製造方法は、表面に水酸基を有するナノダイヤモンドと両末端にビニル基を有する化合物を反応させて、末端がビニル基である表面修飾基を有するナノダイヤモンドを得る工程、及び前記ビニル基をエポキシ化することにより、末端がエポキシ基である表面修飾基を有するナノダイヤモンドを得る工程を含む。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
表面に水酸基、及び末端がビニル基である表面修飾基を有するナノダイヤモンドであり、
ナノダイヤモンドに含まれるsp3混成軌道を形成する炭素原子全体(100%)に対する、前記末端がビニル基である表面修飾基が結合しているナノダイヤモンド炭素原子の比率が2.5〜10%であり、
前記水酸基と結合しているナノダイヤモンド炭素原子の比率が2.5〜15%であり、且つ
COO構造をもつ官能基と結合している炭素原子の比率が1〜6%であり、
前記末端がビニル基である表面修飾基が、下記式(2)で表される基である表面修飾ナノダイヤモンド。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (16件)：
4G146AA04
, 4G146AA15
, 4G146AB04
, 4G146AC02B
, 4G146AC16B
, 4G146AD15
, 4G146AD20
, 4G146AD26
, 4G146AD40
, 4G146BC12
, 4G146CA16
, 4G146CB10
, 4G146CB11
, 4G146CB14
, 4G146CB22
, 4G146CB35
