特許

J-GLOBAL ID：202103017193099450

シリコーン系接着シート、それを含む積層体、半導体装置の製造方法

発明者： 戸田 能乃 ,  須藤 学
出願人/特許権者： ダウ・東レ株式会社
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2018046702
公開番号（公開出願番号）：WO2019-124417
出願日： 2018年12月19日
公開日（公表日）： 2019年06月27日
要約：

[課題]シート表面が微粘着性であるため、ダイシングした半導体チップ等を半導体基材上に容易に仮固定することができ、かつ、ポストキュアにより被着体への永久接着性を発現するシリコーン系接着シート、それを含む積層体、それを用いた半導体装置、および半導体装置の製造方法を提供する。[解決手段]加熱前は、接着面の他の非粘着性基材からの剥離モードが界面剥離であり、当該接着面を50〜200°Cの範囲で加熱した後は、当該接着面の他の非粘着性基材からの剥離モードが凝集破壊に変化し、永久接着性を示す、シリコーン系接着シート;および、その半導体用ダイアタッチフィルム等への使用;当該シリコーン系接着シートの硬化物により、基材上に半導体チップまたは半導体用ウェハが固定された構造を有する、MEMSデバイス等の半導体装置。

請求項（抜粋）：

加熱前は、接着面の他の非粘着性基材からの剥離モードが界面剥離であり、当該接着面を50〜200°Cの範囲で加熱した後は、当該接着面の他の非粘着性基材からの剥離モードが凝集破壊に変化し、永久接着性を示す、シリコーン系接着シート。

IPC (4件)：

C09J 7/35 ,  C09J 183/07 ,  C09J 183/05 ,  B32B 27/00

FI (4件)：

C09J7/35 ,  C09J183/07 ,  C09J183/05 ,  B32B27/00 M

Fターム (36件)：

4F100AK01B ,  4F100AK52A ,  4F100AT00B ,  4F100BA03 ,  4F100BA06 ,  4F100EJ05A ,  4F100GB41 ,  4F100JA06 ,  4F100JK06A ,  4F100JL11A ,  4F100JL14B ,  4J004AA11 ,  4J004AB05 ,  4J004CA03 ,  4J004CA04 ,  4J004CA06 ,  4J004CA08 ,  4J004CB03 ,  4J004CC02 ,  4J004CD08 ,  4J040EC002 ,  4J040EH032 ,  4J040EK042 ,  4J040EK091 ,  4J040HA136 ,  4J040HA196 ,  4J040HA306 ,  4J040HD30 ,  4J040JA09 ,  4J040JB02 ,  4J040KA14 ,  4J040KA16 ,  4J040KA26 ,  4J040KA42 ,  4J040LA01 ,  4J040NA20