特許
J-GLOBAL ID：202103017200243782
プラズマエッチング方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 宏志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-176259
公開番号（公開出願番号）：特開2018-041890
特許番号：特許第6785101号
出願日： 2016年09月09日
公開日（公表日）： 2018年03月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 内面の少なくとも一部がアルミニウム含有物からなる処理容器内に、下層Ti膜、Al膜、および上層Ti膜を積層してなるTi/Al/Ti積層膜を有し、その上にパターン化されたレジスト層が形成された基板を搬入する工程と、
塩素ガスと三塩化ホウ素ガスとからなる塩素含有ガスを含むエッチングガスおよび窒素ガスのプラズマを生成し、前記Ti/Al/Ti積層膜を、前記レジスト層をマスクとして前記プラズマにより前記レジスト層をアッシングしながらプラズマエッチングするエッチング工程と
を含み、
前記塩素含有ガスと前記窒素ガスとの流量比は、6:1〜10:1の範囲であることを特徴とするプラズマエッチング方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3065 ( 200 6.01)
, H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 29/417 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
H01L 21/302 104 C
, H01L 21/28 E
, H01L 29/50 M
, H01L 29/78 612 D
, H01L 29/78 616 U
, H01L 29/78 616 V
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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