特許

J-GLOBAL ID：202103017921161957

原子層堆積中における化学物質の制御された分離および送出により低欠陥処理を可能にするシステムおよび方法

発明者： ラメッシュ・チャンドラセカーラン ,  ジェニファー・オラフリン ,  サーングルト・サングプルン ,  シャンカー・スワミナタン ,  フランク・パスクァーレ ,  クロエ・バルダッセローニ ,  エイドリアン・ラボイエ
出願人/特許権者： ラム リサーチ コーポレーション
代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-135523
公開番号（公開出願番号）：特開2017-036493
特許番号：特許第6976043号
出願日： 2016年07月08日
公開日（公表日）： 2017年02月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板処理システムのためのガス送出システムであって、 入口および出口を含み、前記入口は第1のガス源と流体連通する、第1のバルブと、 第1の入口、第2の入口、および出口を含み、前記第1の入口は前記第1のバルブの前記出口と流体連通し、前記第2の入口は第2のガス源と流体連通する、第2のバルブと、 入口および出口を含み、前記入口は第3のガス源と流体連通する、第3のバルブと、 コネクタであって、 第1の端部と第2の端部とを有する第1のガスチャネルと、 前記第1のガスチャネルの前記第2の端部、前記第2のバルブの前記出口、並びに処理チャンバのガス分配装置と流体連通する第2のガスチャネルと、 第1の端部および第2の端部を有する環状ガスチャネルを規定するシリンダと、 前記シリンダは、前記シリンダおよび前記第1のガスチャネルが共同で前記シリンダの外側表面と前記第1のガスチャネルの内側表面との間に前記環状ガスチャネルを規定するように、前記第1のガスチャネルの内部に少なくとも部分的に配置され、 前記環状ガスチャネルは、前記第3のバルブの前記出口および前記第1のガスチャネルの前記第1の端部と流体連通し、 前記環状ガスチャネルの前記第1の端部と、前記第3のバルブの前記出口と流体連通する第3のガスチャネルと、 前記第1のガスチャネルの前記第1の端部は、前記環状ガスチャネルの前記第1の端部の入口に提供されたガスが、前記環状ガスチャネルを前記第1の端部から前記第2の端部まで流れて前記第1のガスチャネルの前記第1の端部にて前記シリンダ内に流れ、前記シリンダおよび前記第1のガスチャネルを通って前記第2のガスチャネルに流れるように、前記環状ガスチャネルの前記第2の端部と流体連通すること、 を備えるコネクタと、 を備える、ガス送出システム。

IPC (3件)：

C23C 16/455 ( 200 6.01) ,  H01L 21/31 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3065 ( 200 6.01)

FI (3件)：

C23C 16/455 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 106