特許

J-GLOBAL ID：202103018121335643

ゲート絶縁膜形成組成物

発明者： 浦岡 行治 ,  ファン パオロ ソリア ベルムンド ,  吉田 尚史 ,  矢野 恵 ,  能谷 敦子 ,  野中 敏章
出願人/特許権者： メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツング
代理人 (5件)： 永井 浩之 ,  中村 行孝 ,  朝倉 悟 ,  前川 英明 ,  遠藤 逸子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2019-118623
公開番号（公開出願番号）：特開2021-005625
出願日： 2019年06月26日
公開日（公表日）： 2021年01月14日
要約：

【課題】高誘電率、高移動度等の優れた特性を有するゲート絶縁膜を形成する、ポリシロキサンを含んでなるゲート絶縁膜形成組成物を提供する。【解決手段】本発明によるゲート絶縁膜形成組成物は、(I)ポリシロキサン、(II)チタン酸バリウム、および(III)溶剤を含んでなり、チタン酸バリウムの含有量が、ポリシロキサンおよびチタン酸バリウムの総質量を基準として、30〜80質量%である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(I)ポリシロキサン、 (II)チタン酸バリウム、および (III)溶剤 を含んでなり、 (II)チタン酸バリウムの含有量が、(I)ポリシロキサンおよび(II)チタン酸バリウムの総質量を基準として、30〜80質量%である、ゲート絶縁膜形成組成物。

IPC (7件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  C08L 83/04 ,  C08K 3/24 ,  C08K 5/346

FI (9件)：

H01L21/316 G ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 627F ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617Z ,  G02F1/1368 ,  C08L83/04 ,  C08K3/24 ,  C08K5/3465

Fターム (50件)：

2H192AA24 ,  2H192BC31 ,  2H192CB03 ,  2H192CB05 ,  2H192CB37 ,  2H192CB71 ,  2H192CB81 ,  4J002CP031 ,  4J002DE186 ,  4J002EE057 ,  4J002EQ017 ,  4J002EU137 ,  4J002FD016 ,  4J002FD157 ,  4J002GQ01 ,  4J002HA08 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF46 ,  5F058BH02 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF05 ,  5F110FF27 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ06