特許

J-GLOBAL ID：202103019756415518

バリア層なしのタングステン堆積物

発明者： チェン, イーホン ,  ウー, ヨン ,  チン, チア チョン ,  ガンディコッタ, シュリーニヴァース ,  チャン, ケルヴィン
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 園田・小林特許業務法人
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-558579
公開番号（公開出願番号）：特表2021-522411
出願日： 2018年12月12日
公開日（公表日）： 2021年08月30日
要約：

バリア層を使用せずに金属膜を堆積させる方法が開示されている。いくつかの実施形態は、シリコン又はホウ素の1又は複数を含むアモルファス核形成層を形成することと、核形成層上に金属層を形成することとを含む。【選択図】図9B

請求項（抜粋）：

処理方法であって、 アモルファスホウ素層を形成するために、基板表面をホウ素前駆体に曝露することであって、前記基板表面は実質的にバリア層を含まない、基板表面をホウ素前駆体に曝露することと、 前記アモルファスホウ素層を第1の金属層に変換するために、前記アモルファスホウ素層を第1の金属前駆体に曝露することと、 前記第1の金属層を第2の金属前駆体に曝露することにより、前記第1の金属層上に第2の金属層を形成することと を含む方法。

IPC (3件)：

C23C 16/455 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285

FI (4件)：

C23C16/455 ,  H01L21/28 A ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 Z

Fターム (31件)：

4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA07 ,  4K030AA16 ,  4K030AA18 ,  4K030BA12 ,  4K030BA20 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA15 ,  4M104AA10 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB25 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB36 ,  4M104BB37 ,  4M104DD33 ,  4M104DD43 ,  4M104DD79

引用特許：

審査官引用 (2件)

• MoOCl4を使用することによるCVD Mo堆積
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2019-501911   出願人：インテグリス・インコーポレーテッド
• 小臨界次元の接点装置及び相互接続子用の超薄低抵抗タングステンフィルムの堆積方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-093544   出願人：ノベルス・システムズ・インコーポレーテッド