特許
J-GLOBAL ID:202103019944943190

トリアゼニド配位子を有する金属錯体及び気相から金属を堆積させるためのその使用

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 村山 靖彦 ,  実広 信哉 ,  阿部 達彦
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2020-532735
公開番号(公開出願番号):特表2021-507102
出願日: 2018年12月12日
公開日(公表日): 2021年02月22日
要約:
本発明は、式R1-N3-R2[式中、R1及びR2は炭化水素部分である]の少なくとも1つの配位子を有する金属錯体の使用であって、気相から金属又は金属の化合物を堆積させるための使用に関する。本発明は、金属錯体から金属を堆積させる方法、並びに金属錯体、置換トリアゼン化合物、及びそれらの製造方法に更に関する。
請求項(抜粋):
式R1-N3-R2[式中、R1及びR2は炭化水素基である]を有する少なくとも1つの配位子Lを有する金属錯体の使用であって、気相から前記金属又は前記金属の化合物を堆積させるための使用。
IPC (16件):
C23C 16/18 ,  C07C 245/24 ,  C07F 5/06 ,  C07F 5/00 ,  C07F 15/06 ,  C07F 15/00 ,  C07F 1/08 ,  C07F 3/04 ,  C07F 7/02 ,  C07F 9/90 ,  C07F 9/94 ,  C07F 3/10 ,  C07F 7/00 ,  C07F 1/12 ,  C07F 1/10 ,  C07F 3/00
FI (19件):
C23C16/18 ,  C07C245/24 ,  C07F5/06 E ,  C07F5/00 H ,  C07F5/00 J ,  C07F5/00 D ,  C07F15/06 ,  C07F15/00 A ,  C07F1/08 C ,  C07F3/04 ,  C07F7/02 Z ,  C07F9/90 ,  C07F9/94 ,  C07F3/10 ,  C07F7/00 A ,  C07F7/00 Z ,  C07F1/12 ,  C07F1/10 ,  C07F3/00 Z
Fターム (44件):
4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB78 ,  4H006AB84 ,  4H048AA01 ,  4H048AB78 ,  4H048BA05 ,  4H048BA07 ,  4H048BA09 ,  4H048VA30 ,  4H048VA56 ,  4H048VA60 ,  4H048VA70 ,  4H048VA80 ,  4H048VA85 ,  4H048VA86 ,  4H048VB10 ,  4H049VN01 ,  4H049VP01 ,  4H049VQ46 ,  4H049VR54 ,  4H049VU24 ,  4H049VW01 ,  4H049VW02 ,  4H050AA01 ,  4H050AA03 ,  4H050AB78 ,  4H050WB14 ,  4H050WB21 ,  4H050WB22 ,  4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030BA02 ,  4K030BA05 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BA48 ,  4K030BA51 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14
引用文献:
審査官引用 (4件)
  • Film growth precursor development for metal nitrides. Synthesis, structure, and volatility of molybd
  • Asymmetrically substituted triazenes as poor electron donor ligands in the precusor chemistry of iro
  • Film growth precursor development for metal nitrides. Synthesis, structure, and volatility of molybd
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