半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：西川孝 , 稲本義雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-543137
特許番号：特許第6825570号
出願日： 2016年09月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】揮発性論理回路と、同一の接続ゲートを介して前記揮発性論理回路に接続された複数の不揮発性素子と、前記複数の前記不揮発性素子のそれぞれに接続された複数の制御線のそれぞれとを備え、前記複数の前記不揮発性素子は、冗長救済用の前記不揮発性素子および通常使用される前記不揮発性素子からなり、少なくとも1つの前記冗長救済用の前記不揮発性素子と、前記通常使用される前記不揮発性素子とのサイズが異なる半導体装置。

IPC (10件)：

H03K 19/003 ( 200 6.01) , H03K 3/356 ( 200 6.01) , H01L 43/08 ( 200 6.01) , H01L 29/82 ( 200 6.01) , H01L 21/8239 ( 200 6.01) , H01L 27/105 ( 200 6.01) , H01L 21/8244 ( 200 6.01) , H01L 27/11 ( 200 6.01) , H01L 27/10 ( 200 6.01) , G11C 14/00 ( 200 6.01)

FI (10件)：

H03K 19/003 192 , H03K 3/356 D , H01L 43/08 Z , H01L 29/82 Z , H01L 27/105 447 , H01L 27/105 441 , H01L 27/11 , H01L 27/10 461 , H01L 27/105 448 , G11C 14/00 230

引用特許：

審査官引用 (4件)

試験可能な不揮発論理ゲート
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-113762 出願人：日本電気株式会社, 国立大学法人東北大学
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-199662 出願人：日本電気株式会社
マルチレベルセル(MLC)磁気メモリセルを有する装置およびマルチレベルセル磁気メモリにデータを記憶させる方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-258701 出願人：シーゲイトテクノロジーエルエルシー

全件表示

前のページに戻る