特許
J-GLOBAL ID:202103020290469610
半導体レーザ装置の動作条件決定方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, ▲高▼木 邦夫
, 寺澤 正太郎
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-210725
公開番号(公開出願番号):特開2018-073940
特許番号:特許第6866976号
出願日: 2016年10月27日
公開日(公表日): 2018年05月10日
請求項(抜粋):
【請求項1】 第1駆動電流が供給され、入力信号に応じて変調された光信号を出力する半導体レーザと、
前記半導体レーザと光学的に結合され、第2駆動電流の大きさに応じて前記光信号を増幅する半導体光増幅部と、
前記半導体レーザ及び前記半導体光増幅部が搭載され、第3駆動電流の大きさに応じて前記半導体レーザ及び前記半導体光増幅部の温度を制御する温度制御部と、
を備える半導体レーザ装置の動作条件を決定する方法であって、
前記第1〜第3駆動電流の設定値を入力し、前記半導体レーザを駆動させ、変調された前記光信号を出力させる第1工程と、
前記半導体光増幅部から出力され所定距離を伝送した後の前記光信号の波形に基づいて、前記半導体光増幅部が飽和領域を超えた領域において動作するように前記第2駆動電流の大きさを決定する第2工程と、
前記第2工程の後、前記半導体光増幅部から出力される前記光信号の波長に基づく前記第3駆動電流の大きさの決定、及び前記光信号の光強度に基づく前記第1駆動電流の大きさの決定を行う第3工程と、
の順に実施する、半導体レーザ装置の動作条件決定方法。
IPC (2件):
H01S 5/0625 ( 200 6.01)
, H01S 5/026 ( 200 6.01)
FI (2件):
H01S 5/062
, H01S 5/026 616
引用特許:
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