ウエハ基板の洗浄方法

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：辻田幸史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-009558
公開番号（公開出願番号）：特開2021-118235
出願日： 2020年01月23日
公開日（公表日）： 2021年08月10日
要約：

【課題】枚葉スピン式の洗浄方式を採用した場合でも、短時間で効果的にウエハ基板上に存在するフォトレジストを除去することができる、ウエハ基板の洗浄方法を提供すること。【解決手段】電気伝導度が1μS/cm以下である純水に、下記の数式を満たす量の硫酸またはカルボン酸を添加した水中で発生させた、粒径が50μm以下で、レーザー光遮断方式の液中パーティクルカウンターによる計測において5〜15μmに粒径のピークを有しており、そのピークの領域における個数が1000個/mL以上である、オゾンを含有する微小気泡を含む水を、ウエハ基板の表面に接触させて行う。(1)硫酸の添加量:発生させる微小気泡の総個数をx個/mLとした場合に硫酸の濃度(vol%)が1500/x〜15000/xの範囲になる量(2)カルボン酸の添加量:発生させる微小気泡の総個数をx個/mLとした場合にカルボン酸が有するカルボキシル基の濃度(mol/L)が250/x〜2500/xの範囲になる量【選択図】なし

請求項（抜粋）：

電気伝導度が1μS/cm以下である純水に、下記の数式を満たす量の硫酸またはカルボン酸を添加した水中で発生させた、粒径が50μm以下で、レーザー光遮断方式の液中パーティクルカウンターによる計測において5〜15μmに粒径のピークを有しており、そのピークの領域における個数が1000個/mL以上である、オゾンを含有する微小気泡を含む水を、ウエハ基板の表面に接触させて行うウエハ基板の洗浄方法。 (1)硫酸の添加量:発生させる微小気泡の総個数をx個/mLとした場合に硫酸の濃度(vol%)が1500/x〜15000/xの範囲になる量 (2)カルボン酸の添加量:発生させる微小気泡の総個数をx個/mLとした場合にカルボン酸が有するカルボキシル基の濃度(mol/L)が250/x〜2500/xの範囲になる量

IPC (2件)：

H01L 21/304 , H01L 21/027

FI (4件)：

H01L21/304 648G , H01L21/30 572B , H01L21/304 643A , H01L21/304 647Z

Fターム (23件)：

5F146MA02 , 5F157AA64 , 5F157AB02 , 5F157AB33 , 5F157AB90 , 5F157AC01 , 5F157BB11 , 5F157BB66 , 5F157BB79 , 5F157BC03 , 5F157BC12 , 5F157BC13 , 5F157BC54 , 5F157BD33 , 5F157BE12 , 5F157BE43 , 5F157BF12 , 5F157CD36 , 5F157CE37 , 5F157CF42 , 5F157DB02 , 5F157DB03 , 5F157DB45

前のページに戻る