研課題
J-GLOBAL ID:202104000017193273  研究課題コード:7700009376

三端子型水素ガスセンサデバイスの研究

実施期間:2005 - 2005
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , 理工学部 )
研究概要:
本研究の目的は、簡単なプロセスで製作可能で、比較的大きな出力変化が得られ、室温で動作可能な水素ガスセンサデバイスを試作し、その特性を詳細に調べ、その実用化に近づけることである。p+基板の上にn形エピ層をもつ Si基板を用い、その後は、リフトオフ・プロセスのみを使った電極の形成によって、ソース、ドレインのオーミック電極と、触媒金属からなるショットキーゲート電極を設けた構造のデバイスを試作する。このデバイスのソース・ドレイン間の電流-電圧特性は、雰囲気の水素濃度によって変化する。混合調整制御した雰囲気ガス中における、試作したデバイスの特性評価を通じて、センサとしての性能を明らかにする。
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
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研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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