Naフラックス法による半極性面高品質GaNバルク基板開発

実施期間：2013 - 2013
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , 工学研究科, 助教 )
研究概要：

従来の+c面GaNバルク液相成長技術と、非極性面結晶成長技術を融合することで、世界でも最大級(およそ2inch径)の非極性面GaNバルク基板の作製に成功した。 Naフラックス法により得られた非極性面GaNバルクの主面X線ロッキングカーブ半値幅はおよそ50秒であり、従来の液相成長により得られたc面GaNバルクと同程度の高い結晶品質を有していることが確認された。本研究成果により、従来技術とは異なる成長面を制御した新しい手法による、低コスト・大口径基板技術の実用化において大きな進展が得られた。

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研究制度：＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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