45nm世代IC多層配線におけるバリア層自己形成プロセスの開発

実施期間：2004 - 2006
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( )
研究概要：

先端LSIの新規要素技術としてCu-Mn合金を用いたバリア層自己形成プロセス技術を開発した。配線抵抗は純Cuと同等であり、絶縁層との界面に厚さが2nmのバリア層を安定して形成できる。この技術を32nm世代のLSI多層配線に適用し、優れた信頼性と性能を有することを確認した。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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