ホウ素錯体を組み込んだn型半導体の製造方法

実施期間：2009 - 2009
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 工学研究科, 助教 )
研究概要：

高度情報化社会の実現に向けて、安価で柔軟性をもつ有機電界効果トランジスタが注目されている。これまでに様々な有機半導体が開発されてきたが、高移動度を示すn型半導体は少ない。また、合成に際してコストが高く、高度な技術も必要とされる。そこで、ホウ素錯体を有機パイ電子系に組み込んだn型半導体の開発を行う。この錯体合成法は簡便であり、多様な分子構造に適用が可能である。この製造法を用いて高性能なn型半導体を開発し、有機トランジスタの実用化への見通しを得る。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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