研課題
J-GLOBAL ID:202104000244261315  研究課題コード:13410150

半導体ハイブリッドMOS電極構造を用いた超高感度FET型ガスセンサの開発

実施期間:2013 - 2013
実施機関 (1件):
研究責任者: ( , 工学(系)研究科(研究院), 教授 )
研究概要:
ガス感応性の酸化膜半導体を窒化物半導体エピ膜上に形成し、高温動作が可能な半導体ハイブリッドMOSダイオード型ガスセンサを試作した。試作したダイオード素子の電気特性を評価したところ、良好な整流特性と、十分に低い逆方向電流特性を得た。また、ガスセンサ評価用チャンバを製作し、試作したMOSダイオードのガス検知試験を行ったところ、環境温度250°Cにて、空気中ガス濃度40ppmとなる一酸化窒素(NO)ガスを検知できることを確認した。
タイトルに関連する用語 (6件):
タイトルに関連する用語
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研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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