研課題
J-GLOBAL ID:202104000266951412  研究課題コード:7700005681

酸化シリコン膜の省エネルギー・環境融和型低温形成法の開発

実施期間:2006 - 2006
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , マテリアルサイエンス研究科, 助教授 )
研究概要:
フラットパネルに用いる薄膜トランジスタ(TFT)のゲート絶縁膜や保護膜、あるいは電子デバイス加工用の犠牲膜などへ応用ができる低温作製した酸化シリコン(Si)膜を、科学的に安定なシリコーンオイル蒸気とオゾンガス(酸素を含む)を300°C以下の低温で熱分解反応させることにより堆積・形成できるという、省エネルギーであり、環境にも配慮した我々独自の技術を改良、発展させることにより作製し、その技術を確立する。
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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