低温触媒CVD装置の開発

実施期間：2001 - 2004
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( 機械金属部, 部長 )
研究概要：

各種デバイスの保護膜として、低温形成の窒化シリコン膜が使われているが何れも製造時の温度が400°C以上と高い。本研究は、基盤温度の制御性を改善して、デバイスの電気特性を劣化させない120°C以下の温度で良質の窒化シリコン膜が形成できるCVD装置開発を目指すものである。この装置を用いることにより、強誘電体メモリの特性を損なうことなく、低容量からの応用可能なメモリ混載LSI製造への適用が期待できる。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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