新しい半導体固相界面による新規グリーンデバイスの開発

体系的課題番号：JPMJPR12C8
実施期間：2012 - 2015
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , さきがけ研究者 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJPR12C8
研究概要：

シリコンとIII-V族化合物半導体からなる半導体固相界面に生じる新しい物性を利用することで、エネルギーを効率良く“創る・貯める・使う”素子(グリーンデバイス)を開発します。具体的には、エネルギーを創り貯める素子として、高効率ワイヤレス型水素生成セルを作製し、また、省エネルギー素子として、低電力トランジスターを開発することで、とりわけ電子・輸送産業のエネルギー高効率利用に貢献する基盤技術の確立を目指します。

, , ,

研究制度：＞＞
上位研究課題：エネルギー高効率利用と相界面
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

報告書等：

2015 終了報告書

前のページに戻る