単原子層デザインによる希少金属フリー超高磁気異方性薄膜の開発

体系的課題番号：JPMJPR119B
実施期間：2011 - 2014
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , ナノスピントロニクス研究センター, 主任研究員 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJPR119B
研究概要：

コンピュータのゼロ待機電力化による劇的な消費電力削減を可能とする、磁性体エレクトロニクス(スピントロニクス)の超高性能化を目指します。これまでは貴金属やレアアースに頼った開発がほとんどでしたが、本研究では、原子の配列に特徴的なデザインを付与するという、これまでにない新しい切り口を開発の柱とすることで、安価で入手容易な金属のみによる、性能向上のブレークスルーにチャレンジします。

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研究制度：＞＞
上位研究課題：新物質科学と元素戦略
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

報告書等：

2014 終了報告書

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