研課題
J-GLOBAL ID:202104000907093020  研究課題コード:11104435

導電性高分子膜を透明ショットキー電極として用いた容量DLOS計測による窒化物半導体膜の欠陥準位分析法の開発

実施期間:2011 - 2012
実施機関 (1件):
研究責任者: ( , 総合工学研究所, 准教授 )
研究概要:
超低損失の高周波パワーデバイス材料として期待される窒化物半導体膜(GaN)について、導電性高分子膜を透明ショットキー電極として用いた容量DLOS(Deep-Level Optical Spectroscopy)計測法による欠陥準位分析法の開発を目的とする。前年度は、簡便なスピンコート法でGaN上にポリアニリン(PANI)電極膜を形成し、PANI成膜条件を最適化することで、高い光透過性と整流特性を併せ持つ透明ショットキーダイオードの作製に成功した。本年度は、このダイオードを用いて、単色分光照射法と電子計測条件を詳細に検討し、再現性のあるDLOSスペクトルを取得しGaNの欠陥準位情報の抽出を行った。
研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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