量子ドットによる光・量子メモリの創出と高光非線形性の探求

体系的課題番号：JPMJPR07C4
実施期間：2007 - 2010
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 専攻研究員 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJPR07C4
研究概要：

本研究では半導体量子ドットを対象として、フォトンエコーを用いた光・量子メモリの原理実証を行ないます。2つの光パルス間の相対位相差として符号化された情報を量子ドットに転写・保存し、制御パルスにより必要な操作を施した後、読み出しパルスを照射しフォトンエコーとして再生します。材料構造の最適化により非線形性を増大させ、極微弱光領域において動作する量子メモリの実現を目指します。

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研究制度：＞＞
上位研究課題：光の創成・操作と展開
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

報告書等：

2010 終了報告書

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