研課題
J-GLOBAL ID：202104001138970478
研究課題コード：08062575
Ge High-k CMOSに向けた固相界面の理解と制御技術の開発
体系的課題番号：JPMJCR0843
実施期間：2008 - 2013
実施機関 (1件)：
研究代表者：
(
, 大学院工学系研究科, 教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJCR0843
研究概要：
次世代微細化CMOSの駆動電流向上と低電圧動作を可能にする、電子、正孔ともに移動度の高い半導体材料であるGeをベースにしたデバイス構造が期待されています。しかしながら、Ge系材料に対するゲート絶縁膜および電極界面は熱的、電気的安定性が悪く、その原因究明と対策が求められています。本研究課題ではGe High-k CMOS形成に向けて、ゲート絶縁膜および電極界面の物性の精緻な解析と革新的な界面制御技術の開発を行います。
タイトルに関連する用語 (6件)：
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上位研究課題：
次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究
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報告書等：
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