研課題
J-GLOBAL ID:202104001227725711  研究課題コード:09156646

3次元Si貫通配線のための新規成膜手法の開発

実施期間:2009 - 2009
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , 工学部 )
研究概要:
Si-ULSIのさらなる高集積化に、チップを3次元的に積層する実装技術が注目されている。中でも、積層チップ間を最短距離でつなぐSi貫通ビア配線の実現が鍵となるが、200°C以下で貫通電極を作製するプロセス開発が必須となる。現状ではこの要求を満足できるプロセスも材料も存在しないが、研究者は200°C程度以下のプロセスで貫通電極を実現できる新たな成膜技術と新規バリヤ材料を開発し、実用化に向けた装置化の基礎的部分を検討する。
研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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