高臨場感VR/ARディスプレイのための高輝度フルカラーモノリシックLEDの開発

体系的課題番号：JPMJTR201D
実施期間：2020 - 2023
実施機関 (2件)： ,
企業責任者：
研究責任者： ( , 生産技術研究所, 教授 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJTR201D
研究概要：

高臨場感VR/AR用超高輝度・超高精細モノリシックマイクロLEDを開発する。結晶成長にはCREST、ACCELで開発した低温成長が可能で、安価で量産性に適したパルス・スパッタリング堆積法を用いる。低い結晶温度を活かして、従来手法では作製できなかったInGaN材料による高輝度赤色LEDやトンネル接合積層構造の実現を狙う。また、モノリシック化に不可欠なトンネル接合積層構造を用いた多端子型LED技術や発光径1μm程度の微細デバイスプロセス技術を開発する。さらに、ディスプレイ応用に向けて色分離技術を開発し混色のないオール窒化物系材料による赤・緑・青色モノリシックマイクロLEDアレイを実現する。

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研究制度：＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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