超高純度GaAsエピタキシャル厚膜を用いた空間光変調器の開発

実施期間：2009 - 2009
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 工学部電子情報工学科, 教授 )
研究概要：

光通信・光情報処理分野の急速な技術の進展に伴い空間光変調器の高速・低駆動電圧化が求められている。超高純度の砒化ガリウム厚膜をエピタキシャル成長により作製し、これを用いて従来例に比べ数桁以上の速度・数十分の一の電圧で動作する空間光変調器を開発する。本研究により「画素微細化」「光応答速度の超高速化」「消費電力の低減化」等実現のための光変調デバイスを開発し、超高速駆動技術開発に対応しようとするものである。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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