超ヘテロナノ構造によるバリスティック電子デバイスの創製

体系的課題番号：JPMJCR02B9
実施期間：2002 - 2007
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 大学院理工学研究科, 教授 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJCR02B9
研究概要：

半導体、金属そして絶縁体と大きく異なる物質を、立体的かつナノメートルサイズで組み合わせた“3次元超ヘテロナノ構造”を創製し、ヘテロナノ構造で顕著になるバリスティック走行による超高速性と、超ヘテロナノ構造の特質である極小化による低消費電力性を併せ持つ、新しいデバイスを実現します。さらには、超ヘテロナノ構造において発現される電子波面による情報処理機能およびテラヘルツ帯での増幅機能をデバイスに応用することを探求します。