SiCスイッチングモジュールの高性能化とその応用開発

体系的課題番号：JPMJTR201A
実施期間：2020 - 2024
実施機関 (2件)： ,
企業責任者：
研究責任者： ( , オープンイノベーション機構, 特定教授 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJTR201A
研究概要：

ICTを用いたセンシング・制御技術をパワーエレクトロニクスに適用することでSiCパワーデバイスの高温動作、低損失、高耐圧、高速スイッチング特性を最大限に活用したアプリケーショを実現し、その社会実装および本格的な基幹産業への展開の礎を築く。本課題では、単体デバイスでは難しい高耐圧・大容量化を実現するモジュール化技術を開発する。これをもとにSiCパワーデバイスの大きな適用効果が見込める1交流電気車の電源及び2モータ駆動システムと、3放射光源加速器用大電流高速パルス電源を例にとり、高信頼な電力変換の基盤技術開発をする。開発は次ステップに繋ぎ、インフラや産業分野への本格的な社会実装を狙う。

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研究制度：＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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