研課題
J-GLOBAL ID:202104002144448119  研究課題コード:11101625

Si基板上への多機能性グラフェンのウエハースケール製造技術

実施期間:2011 - 2011
実施機関 (1件):
研究責任者: ( , 電気通信研究所, 助教 )
研究概要:
2インチSiウエハーへのSiC薄膜を介したグラフェンの成長と微細加工による多機能化を目的とした研究を行なった。その結果、2インチウエハー上に均一な大免責グラフェンのエピ成長に初めて成功した。このグラフェン形成技術を基に、微細加工を施したSi基板上へのグラフェンのエピ成長に初めて成功した。更には、微細加工を施したSi基板上に異なる面方位を有するSiC(111)及びSiC(100)薄膜のエピ成長にも成功した。これらの薄膜表面上にグラフェンをエピ成長させることにより、グラフェンの多機能化(半導体vs金属)が可能となる。以上の技術は、将来的にはSi基板上の多機能デバイスを可能にするものとなる。
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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