研課題
J-GLOBAL ID:202104002179773543  研究課題コード:20353354

新材料設計指針により対破壊電流密度に挑む

体系的課題番号:JPMJFR202G
実施期間:2021 - 2027
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , 理工学部, 教授 )
DOI: https://doi.org/10.52926/JPMJFR202G
研究概要:
超伝導技術は、SDGsやSociety5.0社会への貢献が期待されています。しかし、超伝導の応用上重要な臨界電流密度は、量子化磁束の運動の影響を受け理論限界である対破壊電流密度の5~10%程度です。本研究では、臨界電流密度の理論モデル、磁束ピン止め点導入技術、磁束の熱擾乱抑制技術、キャリア・ひずみ制御技術を融合し、新しい材料設計指針により臨界電流密度を対破壊電流密度に近づけることを目指します。
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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研究制度:
上位研究課題: 井村パネル
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構
報告書等:

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