研課題
J-GLOBAL ID:202104002204308818  研究課題コード:15656058

超低消費電力動作に向けたゲート絶縁膜の負性容量による急峻スロープトランジスタ技術の開発とナノワイヤ構造への応用

体系的課題番号:JPMJPR1525
実施期間:2015 - 2018
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , 生産技術研究所, 准教授 )
DOI: https://doi.org/10.52926/JPMJPR1525
研究概要:
本研究では超低電圧動作トランジスタとして強誘電性HfO2薄膜用いた負性容量トランジスタ(NCFET)のデバイス設計・材料開発と、世界初の動作実証を目的とします。デバイス設計では物理ベースのシミュレータを構築します。材料開発では、強誘電性HfO2薄膜のプロセス技術を開発します。デバイス試作では強誘電性HfO2薄膜をCMOSプロセス技術へ導入し、さらにナノワイヤチャネルへの展開を図ります。
研究制度:
上位研究課題: 素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構
報告書等:

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