次世代SiC半導体デバイス開発に向けた短パルス金属イオンビーム技術の確立

実施期間：2009 - 2009
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 大学院理工学研究部, 助教 )
研究概要：

次世代型SiCデバイスの実用化を目指し、イオン注入とアニール処理が同時にできるSiCへの新しいイオン注入法の研究を行ってきた。イオン注入法では、n型・p型ドーパントが必要であり、n型ドーパント用の大電流パルスイオンビームの開発には成功した。本課題は、これまで開発してきたパルスイオンビーム技術に真空アーク放電を利用した金属イオン発生技術を融合することで、p型ドーパントとして機能するアルミニウムイオンビームの発生技術の確立を目指す。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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