金属超薄膜の成膜技術開発

実施期間：2006 - 2006
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 工学部, 教授 )
研究概要：

従来のスパッタリング法により得られる最も薄い導電性金属薄膜厚は200Å程度であり、光学的には不透明である。そこで、スパッタ粒子の有する運動エネルギーを基板表面の吸着種との化学反応に活用し、特異な表面構造を構築することにより、膜厚100Å以下の導電性金属超薄膜を作製する。得られる金属超薄膜は光学的に透明で、次世代の有機EL デイスプレイ、帯電防止フィルム、IT や自動車用各種電磁波制御部品等への応用が可能となる。大掛かりな設備改造等が不要で、最も普及した生産技術であるスパッタ成膜法により、本提案の導電性金属超薄膜が実現できれば実用化の可能性は極めて高い。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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