研課題
J-GLOBAL ID:202104002307365658  研究課題コード:09152504

瞬間結晶化によるガラス基板上への超高性能多結晶Si薄膜形成

体系的課題番号:JPMJPR09P3
実施期間:2009 - 2012
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , マテリアルサイエンス研究科, 助教 )
DOI: https://doi.org/10.52926/JPMJPR09P3
研究概要:
フラッシュランプアニール(FLA)を用いた瞬間結晶化により、安価なガラス基板上に形成される、膜厚1μm以上の高品質多結晶シリコン(poly-Si)薄膜の結晶化は、周期凹凸構造を形成しながら平面方向に進行します。本研究では、この結晶化機構を明確化するとともに、周期構造と太陽電池特性との関連性を明らかにすることで、太陽電池用材料としての高品質化への指針を得て、効率15%以上の低コスト薄膜poly-Si太陽電池を実現するための基盤技術を確立します。
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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研究制度:
上位研究課題: 太陽光と光電変換機能
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構
報告書等:

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