研課題
J-GLOBAL ID:202104002505585540  研究課題コード:12101208

超臨界流体成膜・変換法を用いた3次元接合型CIS太陽電池の開発

実施期間:2012 - 2013
実施機関 (1件):
研究責任者: ( , 多元物質科学研究所, 助教 )
研究概要:
本研究開発では、従来溶液法では困難な、TiO2多孔質薄膜中への化合物半導体の完全埋め込みが実現された3次元接合型太陽電池の作製を目的とした。微細構造中への金属薄膜の埋め込み性に優れる超臨界流体成膜法と、超臨界流体コンバージョン法を組み合わせることで、3次元ナノ構造へのCuInS2化合物半導体埋め込み成膜を可能とし、最終成果として、3次元接合型CIS太陽電池構造の作製に成功した。今後、変換効率の測定・向上を進め、発電コストの観点から、本シーズの技術の技術移転を検討する。
タイトルに関連する用語 (6件):
タイトルに関連する用語
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研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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