次世代半導体デバイスに向けた低エネルギーイオンビームの無発散走行照射技術の開発

実施期間：2005 - 2008
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , 工学(系)研究科(研究院), 教授 )
研究概要：

次世代半導体集積回路作製に対応する超低エネルギーイオンビームの空間電荷を中和するための電子源として、半導体への金属汚染の心配のない、表面を炭素化処理したシリコンフィールドエミッタアレイ(Si:C-FEA)を利用してイオンビームの電荷中和を行う技術開発を行った。その結果、500 eVの超低エネルギーイオンビームの空間電荷中和原理実験装置を開発し、Si:C-FEA電子源を用いた500 eV-40 μAネオンイオンビームの空間電荷中和原理実験において、Si:C-FEA電子源によりイオンビームの空間電荷が効率的に中和できることを明らかにし、超低エネルギーイオンビームの無発散輸送の可能性を実証した。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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