グラフォエピタキシーによるカーボンナノウォール(CNW)を用いたFETの開発

実施期間：2011 - 2011
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , 超伝導・持続可能エネルギー研究センター, 教授 )
研究概要：

本研究開発ではカーボンナノウォール(CNW)を用いた超低消費電力の電界効果素子(FET)の開発を目指す。ユビキタス時代のIT機器には、超低消費電力化が求められるが生体の情報伝達の動作原理を模倣(Biomimetics)して動作電圧25 mVのFETを開発することにした。本課題ではFETの基幹部位となるチャネルをCNWで形成するためのグラフォエピタキシー技術の確立を目指して研究を行い、CNWを十分な長さに亘って配列させるプロセスの開発に成功し、さらに、これを用いたFETの試作を行った。FETの中には半導体特性を示すものも存在し、今後、FET動作安定化のためのプロセス制御技術の研究開発を行い集積素子を目指す予定である。

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研究制度：＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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