研課題
J-GLOBAL ID：202104003015796913
研究課題コード：10102703
インジウム砒素ナノワイヤに基づく超低消費電力スピントランジスタ
実施期間：2010 - 2013
実施機関 (1件)：
研究代表者：
(
, 量子集積エレクトロニクス研究センター 大学院情報科学研究科, 教授 )
研究概要：
本研究交流は、半導体ナノワイヤを用いたData-Das型スピントランジスタを実現することにより、オンオフのスイッチングに必要なスロープの限界を打ち破り、回路を低消費電力で動作させるための基礎を築くことを目指す。 具体的には、日本側はスピントランジスタ中の電子のスピン状態の制御の検討、高スピン偏極率を有する強磁性体の検討とそのインジウムヒ素上の結晶成長、プロセス開発、スピン輸送特性の評価、スピントランジスタの実証を分担し、フランス側はスピン制御を可能にするための高品質なインジウムヒ素ナノワイヤの結晶成長、特にウルツ型と閃亜鉛鉱型が混在しやすい成長機構を制御性よく1つの結晶型にすることを分担する。 両国の研究チームが相互補完的に取り組むことで、インジウムヒ素ナノワイヤの基づくスピントランジスタ実現につながることが期待される。
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上位研究課題：
コンピューターサイエンスを含む情報通信技術
研究所管機関：
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