研課題
J-GLOBAL ID：202104003402850314
研究課題コード：11103676
SiC MOSFETの抵抗損失低減のための界面制御技術
体系的課題番号：JPMJPR11C3
実施期間：2011 - 2014
実施機関 (1件)：
研究代表者：
(
, 大学院工学系研究科, 准教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR11C3
研究概要：
パワーデバイス用のSiC-MOSFETはオン抵抗の低減が求められています。本研究ではヘテロ固相界面の精緻な制御に基づいた新しいプロセスを適用し、デバイス特性の向上を実証します。SiCと絶縁膜の界面では、SiC酸化に伴う欠陥形成を抑制しながら良質な絶縁膜を形成することでキャリア移動度の向上を図り、またSiCと金属の界面に対しては、界面障壁を制御することでコンタクト抵抗を低減する技術を構築します。
タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した研究課題タイトルの用語をもとにしたキーワードです
,
,
,
研究制度：
＞
＞
上位研究課題：
エネルギー高効率利用と相界面
研究所管機関：
報告書等：
前のページに戻る
