研課題
J-GLOBAL ID：202104003876090507
研究課題コード：08000901
多元系溶媒による3C-SiC結晶の低温溶液成長
実施期間：2007 - 2007
実施機関 (1件)：
研究代表者：
(
, 大学院工学研究科結晶材料工学専攻, 准教授 )
研究概要：
背景: 次世代パワーデバイス用半導体として期待されているSiC は、様々な結晶構造をとる。中でも3C-SiC は、絶縁酸化膜と良好な界面を形成することから、MOSFET などのデバイスにおける実効電子移動度が、他の構造に比べて高い、という特長がある。問題点: 3C-SiC は低温安定相である。それに対して、一般的なSiC バルク結晶成長法である昇華法は、高い成長温度を必要とする。そのため、3C-SiC バルク結晶は昇華法では成長できない。目的: 低温で且つ高品質結晶が実現可能な溶液成長で、世界初の3C-SiC バルク結晶を実現する。具体的には、より低温での成長を可能にするための、多元系合金溶媒の探索を行う。目標: プロトタイプとして、1インチで10 mm 厚の結晶を目標とする。
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