研課題
J-GLOBAL ID:202104004017608487
研究課題コード:09157388
ZnO量子ドット薄膜を安価でかつ大量に作製する新規プロセスの開発
実施期間:2009 - 2009
実施機関 (1件):
研究代表者:
(
, 工学部, 教授 )
研究概要:
本研究は、ZnOの気相薄膜堆積プロセスにおいて、基材となる有機物の特異吸着により形成される多数のZnOナノクリスタルを量子ドットとする、簡便な量子ドット作成手法の確立に関するものである。得られたZnO量子ドット薄膜を発光層とする紫外線LEDを作製する。正孔注入のp型ZnO,電子注入のn型ZnOを100°C以下でプラスチックス基板上に堆積させることにより、フレキシブルな大面積LEDディスプレイを作製する。
タイトルに関連する用語 (6件):
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