バッファ層が不要のCu(In,Ga)Se2薄膜太陽電池の開発

実施期間：2013 - 2013
実施機関 (1件)：
研究責任者： ( , 理工学部, 准教授 )
研究概要：

Cu(In,Ga)Se2 太陽電池ではCdSバッファ層とZnO窓層が用いられている。プロセス簡略化からp型のCu(In,Ga)Se2の上に直接、n型の透明導電膜を形成することが望ましい。我々は新規な透明導電膜としてスパッタ成膜のZnO1-xSx:Al(x≦0.15)を提案した。xを変化させたZnO1-xSx:Al透明導電膜を用いてバッファフリーCu(In,Ga)Se2太陽電池を作製した。x=0.10 の時にはCdSバッファを有する太陽電池の変換効率12.4%に対して、バッファフリーの太陽電池の変換効率11.1%を達成した。CdSバッファを有するセルに対して相対値で90%程度の効率が得られた。

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研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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