研課題
J-GLOBAL ID:202104004766962955  研究課題コード:13408789

高品質SiC単結晶薄膜の革新的低温・高速成長技術の創製

体系的課題番号:JPMJAL1310
実施期間:2013 - 2018
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , 工学研究科, 教授 )
DOI: https://doi.org/10.52926/JPMJAL1310
研究概要:
本研究では、フラックスと呼ばれる結晶成長の触媒と、気相原料供給を用いた常圧液相エピタキシー法を開発し、多形を制御した4H-SiC単結晶薄膜を低温で高速成長できる技術を確立します。よって、SiC単結晶薄膜が既存のSiを代替することにより、低損失の電力変換機器の提供とスマートグリッドによるエネルギー高効率利用の実現を加速化します。
タイトルに関連する用語 (6件):
タイトルに関連する用語
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研究制度:
上位研究課題: 革新的省・創エネルギー化学プロセス
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構
報告書等:

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