研課題
J-GLOBAL ID：202104004954173534
研究課題コード：12101282
低コスト化合物半導体太陽電池のための高品質バルク結晶の作製技術の開発
実施期間：2012 - 2013
実施機関 (1件)：
研究責任者：
(
, 工学教育研究部 電子物理工学科, 准教授 )
研究概要：
低コスト高効率太陽電池として最も期待されているカルコパイライト型化合物半導体CuInGaSe2(CIGS)太陽電池の現在の作製プロセスを簡略化するために、1ステップで膜を作製し、しかもセレン化水素を使用しないプロセスを提案するために、高品質なCIGSバルク結晶の作製を目的として、実験を行った。 融液成長にて縦型電気炉の温度制御を精密に行い、特に冷却時間を調整することにより高品質化(密度が高く、組成分布も均一)に成功した。InとGaの割合を系統的に変化させると、禁制帯幅は割合にそって変化した。またSeの量を系統的に変化させると、Se過剰でp型、Se不足でn型が得られ、伝導型も変化させることができた。
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