気相原料供給型溶液法によるSiCバルク結晶成長

実施期間：2009 - 2009
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 工学研究科, 准教授 )
研究概要：

パワーデバイス材料として期待されるSiCは、高品質結晶の成長が難しく、高コスト等の問題もある。近年、従来の昇華法に代わる方法として、高品質結晶育成に向いている溶液成長法が検討されている。溶液法は、これまで成長速度が遅いという問題が指摘されていたが、それについては溶媒への元素添加により目処がつきつつあり、いよいよ大型結晶化が現実味を帯びてきた。本研究は大型結晶化から量産へ向けて必須となる連続成長の課題を解決するものである。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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