極低温汎用温度計の開発

実施期間：2008 - 2008
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 情報電子部, 主任研究員 )
研究概要：

過剰な窒素を含む金属窒化物はアモルファスに近い乱れた結晶構造を有する。そのため薄膜の電気抵抗の温度依存性に局在効果が出現し、電気抵抗は温度の減少とともに半導体的に増加する。この局在効果は極低温まで存在するため、室温からmKに至る広い温度範囲でリーズナブルな抵抗温度係数(感度)を有する温度センサの開発が期待できる。本研究では、室温からmK域まで合理的な感度を有し、再現性の高い薄膜温度センサの開発を行う。

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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