研課題
J-GLOBAL ID:202104005009902054  研究課題コード:12101839

イオンビームを用いた超高密度磁気ドット列の形成

実施期間:2012 - 2013
実施機関 (1件):
研究責任者: ( , 大学院工学研究科 )
研究概要:
本研究開発は、ブロックコーポリマーによる自己組織化法を用いて形成した微小ドット列をマスクとして磁気ドット列をイオンビーム加工法により実現することを目標に行った。目標は、磁気ドット径:10nm以下、ドットピッチ:約12nm、高さ:10nmである。実験の結果、自己組織化法、多層レジスト法およびイオンミリング法を用いた微小磁気ドット形成技術を確立した。PDMS微小ドットを、Si膜、C膜に転写し、最終的には、Cドット列を形成し、これをマスクとしてイオンミリングで10nm径以下のCoPt磁気ドット列を形成することができた。さらに、低分子量のPS-PDMSブロックポリマーを使用することにより5nm前後の磁気ドット形成が可能であることが分かった。
研究制度:
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構

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