研課題
J-GLOBAL ID:202104005192438680  研究課題コード:08003912

InN系窒化物ナノデバイス/ナノプロセスの分子線エピタキシ法による新展開

体系的課題番号:JPMJCR02BA
実施期間:2002 - 2007
実施機関 (1件):
研究代表者: ( , 電子光情報基盤技術研究センター, センター長(工学部教授) )
DOI: https://doi.org/10.52926/JPMJCR02BA
研究概要:
最近、InNのバンドキャップが約0.63eVであり、窒化物系半導体は光通信波長領域までもカバーしうることが明らかにされました。本研究では、InNをベースとした窒化物系材料の「超薄膜・超急峻界面制御」分子線エピタキシ法ナノプロセス技術を開発します。これにより、InN系ナノ構造本来の物性を発現させ、近未来の大容量・超高速画像環境情報を支える、光通信波長域レーザ、超高速光制御素子、そして超高速・超省電力電子素子開発の可能性を検討します。
研究制度:
上位研究課題: 超高速・超省電力高性能ナノデバイス・システムの創製
研究所管機関:
国立研究開発法人科学技術振興機構
報告書等:

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