非晶質炭素薄膜における導電性制御技術の開発

実施期間：2007 - 2007
実施機関 (1件)：
研究代表者： ( , 工学部電気電子工学科, 助教授 )
研究概要：

非晶質炭素薄膜は高硬度,高電気絶縁性を有し,光透過性がよく,化学的に不活性で低摩擦,耐摩耗性があるなど,優れた物性を有している.そのため,保護膜等のコーティング膜として応用されている.しかし,電気伝導性制御が難しいことから電子デバイスへの応用はほとんど進んでいない.本研究では,電子デバイス作製の基盤技術となるドーピングによる導電性制御を目指すものである.そのため,デドープ現象の解明や,欠陥密度の低減,膜構造制御技術の確立を目的とする.

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研究制度：＞＞＞＞
研究所管機関：

国立研究開発法人科学技術振興機構

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